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Transistor FQPF10N80C - FQPF 10N80C - Original - Novo - 1 Peça

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Descrição

MOSFET de Potência N-Channel QFET® FQPF10N80C (800V / 10A)

O FQPF10N80C é um MOSFET de potência de alta tensão produzido pela Fairchild (agora onsemi), utilizando a tecnologia proprietária QFET®. Este dispositivo é projetado para operar em ambientes de energia severos, como fontes de alimentação que lidam com tensões de rede elevadas, oferecendo uma combinação de robustez contra picos de tensão e características de chaveamento rápido.


Especificações Técnicas Reais

  • Tensão Dreno-Fonte (VDS): 800V.

  • Corrente de Dreno Contínua (ID): 10A (a 25°C).

  • Resistência em Estado Ligado (RDSon): Típica de 0.85 Ohm (Máximo de 1.1 Ohms).

  • Carga de Gate Total (Qg): Típica de 44 nC, facilitando o acionamento por circuitos integrados controladores.

  • Energia de Avalanche (EAS): 100% testado para suportar surtos de energia indutiva.

  • Encapsulamento: TO-220F (Full Pack), que possui isolamento plástico integral, eliminando a necessidade de isoladores de mica ou silicone ao fixá-lo no dissipador.


Tecnologia QFET® e Robustez de Alta Tensão

O uso da tecnologia planar DMOS avançada confere ao FQPF10N80C vantagens críticas para fontes de alimentação estáveis:

  • Isolamento do Encapsulamento (TO-220F): O sufixo "F" indica que o corpo do componente é totalmente isolado. Isso simplifica a montagem mecânica e aumenta a segurança em circuitos de alta tensão, reduzindo o risco de arcos elétricos para o chassi do equipamento.

  • Baixa Carga de Gate e Capacitância: Com uma capacitância de transferência reversa (Crss) de apenas 15 pF, este MOSFET minimiza as perdas durante as transições de ligar e desligar. Isso permite que a fonte opere em frequências mais altas com menos geração de calor.

  • Capacidade de dv/dt Melhorada: O componente é projetado para resistir a variações rápidas de tensão (transientes), o que previne disparos acidentais e falhas prematuras em ambientes industriais com muito ruído elétrico.

  • Desempenho em Avalanche: Em caso de surtos na rede elétrica que ultrapassem os 800V, a robustez de avalanche permite que o MOSFET absorva essa energia temporária sem sofrer danos imediatos, agindo como uma linha de defesa para o restante do circuito.


Aplicações Recomendadas

  • Fontes Chaveadas (SMPS) de Alta Tensão: Ideal para o estágio primário de fontes AC/DC que operam em redes de 220V com PFC ativo.

  • Conversores DC-DC Industriais: Sistemas que exigem isolamento e conversão de barramentos de alta tensão.

  • Fontes de Alimentação para TVs e Monitores: Utilizado como chave principal em circuitos de standby e potência.

  • Adaptadores de Energia e Carregadores: Projetos que buscam alta eficiência em formatos compactos.

  • Reatores Eletrônicos: Sistemas de iluminação que operam com tensões elevadas de partida.

Vantagens do FQPF10N80C

  • Facilidade de Montagem: O encapsulamento isolado reduz o custo de materiais e o tempo de linha de produção.

  • Eficiência Térmica: A tecnologia QFET® reduz as perdas por condução e comutação, permitindo o uso de dissipadores de calor menores.

  • Alta Confiabilidade: Os testes rigorosos de avalanche e parâmetros térmicos garantem uma vida útil longa em aplicações que funcionam 24/7.

 


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PERGUNTAS FREQUENTES

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O QUE DEVO ME ATENTAR ANTES DE COMPRAR O PRODUTO?

É sempre importante conferir as características físicas dos componentes, sendo que a foto é uma referência que deve ser considerada. Isso porque existem códigos iguais para produtos diferentes e vice-versa, o que pode gerar confusão. Sendo assim, caso haja dúvidas, não hesite em nos perguntar.

Quaisquer dúvidas estamos à disposição, nossa empresa deseja que você tenha a melhor experiência de compra.