O SSF65R190S2 é um transistor de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor (MOSFET) de Canal N, que utiliza a avançada tecnologia SuperFET. Esta arquitetura de superjunção foi desenvolvida para romper os limites dos MOSFETs convencionais, permitindo uma resistência em condução ($R_{DS(on)}$) extremamente baixa em um componente que suporta altas tensões. Com capacidade de 650V, ele é a escolha ideal para sistemas que buscam a "Eficiência Ouro", reduzindo drasticamente o desperdício de energia em forma de calor.
Tipo de Polaridade: MOSFET de Canal-N (N-Channel).
Tensão Máxima Dreno-Fonte ($V_{DSS}$): 650 Volts (Segurança total para redes elétricas globais e circuitos PFC).
Corrente de Dreno Contínua ($I_D$): 12,5 Amperes (a 25°C), permitindo o controle de cargas de alta potência.
Resistência em Condução ($R_{DS(on)}$): Típica de apenas 0,190 Ohms, uma marca impressionante que garante maior eficiência energética.
Tecnologia SuperFET: Otimizada para oferecer carregamento de gate ultra-rápido e baixas capacitâncias parasitas.
Encapsulamento: TO-220 ou similar (dependendo da variação), facilitando a dissipação térmica em sistemas compactos.
Graças ao seu perfil de alta eficiência, o SSF65R190S2 é peça-chave em:
Fontes Chaveadas (SMPS) de Alta Performance: Ideal para fontes de servidores e PCs de alto nível (80 Plus Platinum/Titanium).
Correção de Fator de Potência (PFC): Estágios de entrada que exigem chaveamento rápido e perdas mínimas.
Inversores de Energia Solar: Conversão eficiente da energia dos painéis para a rede elétrica.
Infraestrutura de Telecomunicações: Retificadores e sistemas de alimentação para Data Centers.
Carregadores de Veículos Elétricos: Estações de recarga rápida que operam com altas densidades de potência.
Chaveamento Ultra-Rápido: As baixas capacitâncias internas permitem que o transistor ligue e desligue em velocidades altíssimas, reduzindo as perdas por comutação.
Redução de Dissipadores: Como o componente esquenta menos (devido ao baixo $R_{DS(on)}$), é possível utilizar dissipadores de calor menores, reduzindo o tamanho e o peso do produto final.
Excelente Capacidade de Avalanche: Alta robustez contra picos de tensão e transientes da rede elétrica, aumentando a vida útil do equipamento.
Densidade de Potência: Permite projetar circuitos mais potentes em espaços reduzidos, atendendo às demandas modernas de compactação.
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PERGUNTAS FREQUENTES
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É sempre importante conferir as características físicas dos componentes, sendo que a foto é uma referência que deve ser considerada. Isso porque existem códigos iguais para produtos diferentes e vice-versa, o que pode gerar confusão. Sendo assim, caso haja dúvidas, não hesite em nos perguntar.
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