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Circuito Integrado 1EDI 20I12AF IGBT - Ci 1EDI20I12AF - Original - Novo - 1 Peça

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Descrição

Driver de Gate Isolado EiceDRIVER 1EDI20I12AF (1200V / 10A)

O 1EDI20I12AF faz parte da renomada família EiceDRIVER da Infineon, projetado especificamente para acionar transistores de potência como IGBTs, MOSFETs e SiC MOSFETs em sistemas de alta tensão. Utilizando a tecnologia de Transformador sem Núcleo (Coreless Transformer), este CI provê uma barreira de isolamento galvânico extremamente robusta e uma imunidade a transientes (CMTI) superior aos optoacopladores convencionais.

Este driver é otimizado para sistemas que operam com barramentos de até 1200V, sendo um componente crítico em inversores industriais e sistemas de energia renovável onde a velocidade de comutação e a segurança elétrica são vitais.


Alta Corrente e Proteção Inteligente

O 1EDI20I12AF oferece recursos avançados para garantir que o transistor de potência opere dentro da zona de segurança:

  • Capacidade de Corrente de 10A: Com uma corrente de pico de saída de 10A, ele consegue carregar e descarregar as capacitâncias de gate de grandes módulos IGBT ou MOSFETs de Carbeto de Silício (SiC) com extrema rapidez, reduzindo as perdas por comutação.

  • Tecnologia de Isolamento Galvânico: A barreira integrada protege o microcontrolador contra picos de tensão do lado de alta potência e permite uma comunicação de sinal limpa, mesmo com variações bruscas de tensão (dV/dt).

  • Proteção UVLO (Under Voltage Lockout): Monitora a tensão de alimentação do lado do driver e impede o acionamento do transistor caso a voltagem seja insuficiente, evitando que o IGBT opere na região linear e sofra superaquecimento.

  • Desligamento Ativo: Garante que o transistor permaneça em estado "OFF" (desligado) caso a alimentação do driver seja perdida, prevenindo disparos acidentais que poderiam causar curtos-circuitos no barramento.


Especificações Técnicas Reais

  • Tensão Máxima do Barramento: 1200V.

  • Corrente de Saída de Pico: +10A (Source) / -10A (Sink).

  • Atraso de Propagação: Tipicamente 120ns (muito baixo e estável).

  • Imunidade a Transientes (CMTI): Mínimo de 100 kV/µs.

  • Tensão de Alimentação do Driver (VCC2): Até 35V.

  • Entrada Lógica: Compatível com 3.3V, 5V e 15V.

  • Encapsulamento: DSO-8 (SOIC-8 Wide Body), garantindo distâncias de escoamento (creepage) para alta tensão.


Aplicações Recomendadas

  • Inversores de Frequência Industriais: Controle preciso de motores AC de alta potência.

  • Sistemas de Energia Solar e Eólica: Inversores de string e conversores de grande escala.

  • Carregadores de Veículos Elétricos (EV): Estágios de potência de carregadores rápidos que exigem isolamento galvânico reforçado.

  • Fontes de Alimentação Chaveadas (SMPS): Conversores de alta densidade de potência e alta eficiência.

  • Aquecimento por Indução: Circuitos de ressonância que operam em frequências elevadas e altas correntes.


Vantagens do 1EDI20I12AF

  • Confiabilidade Infineon: Tecnologia testada para operar em ambientes industriais severos com longa vida útil.

  • Eficiência Térmica: O baixo atraso de propagação e a alta corrente de gate minimizam o tempo de transição dos transistores, reduzindo o calor gerado no sistema.

  • Design Compacto: No encapsulamento SOIC-8, ele substitui transformadores de pulso volumosos e circuitos de driver discretos complexos.

 


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PERGUNTAS FREQUENTES

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O QUE DEVO ME ATENTAR ANTES DE COMPRAR O PRODUTO?

É sempre importante conferir as características físicas dos componentes, sendo que a foto é uma referência que deve ser considerada. Isso porque existem códigos iguais para produtos diferentes e vice-versa, o que pode gerar confusão. Sendo assim, caso haja dúvidas, não hesite em nos perguntar.

Quaisquer dúvidas estamos à disposição, nossa empresa deseja que você tenha a melhor experiência de compra.